文/北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 柳虹
摘要：在確定半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題時(shí)，應(yīng)該從本領(lǐng)域技術(shù)人員的解決問(wèn)題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上能夠得到的技術(shù)問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于技術(shù)場(chǎng)景實(shí)際會(huì)面臨的技術(shù)問(wèn)題，而不是利用本發(fā)明的區(qū)別特征反推出的技術(shù)問(wèn)題。
在對(duì)發(fā)明專利的創(chuàng)造性評(píng)述中，需要評(píng)價(jià)該發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見(jiàn)。《專利審查指南》中規(guī)定，判斷要求保護(hù)的發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見(jiàn)，通常可按照以下三個(gè)步驟進(jìn)行：確定最接近的現(xiàn)有技術(shù)、確定發(fā)明的區(qū)別特征和發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題、判斷要求保護(hù)的發(fā)明對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是否顯而易見(jiàn)。
其中，發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題，是根據(jù)審查員所認(rèn)定的最接近的現(xiàn)有技術(shù)重新確定發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題，是指為獲得更好的技術(shù)效果而需對(duì)最接近的現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)的技術(shù)任務(wù)。
判斷要求保護(hù)的發(fā)明對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是否顯而易見(jiàn)，實(shí)際上要確定的是現(xiàn)有技術(shù)整體上是否存在某種技術(shù)啟示，即現(xiàn)有技術(shù)中是否給出將上述區(qū)別特征應(yīng)用到該最接近的現(xiàn)有技術(shù)以解決其存在的技術(shù)問(wèn)題的啟示，這種啟示會(huì)使本領(lǐng)域的技術(shù)人員在面對(duì)所述技術(shù)問(wèn)題時(shí)，有動(dòng)機(jī)改進(jìn)該最接近的現(xiàn)有技術(shù)并獲得要求保護(hù)的發(fā)明。
現(xiàn)有技術(shù)整體上能夠提供技術(shù)啟示的其中一種情況是，本申請(qǐng)相對(duì)于最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別特征為另一份對(duì)比文件中披露的相關(guān)技術(shù)手段，該技術(shù)手段在該對(duì)比文件中所起的作用與該區(qū)別特征在要求保護(hù)的發(fā)明中為解決該重新確定的技術(shù)問(wèn)題所起的作用相同。
也就是說(shuō)，審查創(chuàng)造性時(shí)，可以將多份現(xiàn)有技術(shù)中的不同的技術(shù)內(nèi)容組合在一起對(duì)要求保護(hù)的發(fā)明進(jìn)行評(píng)價(jià)，多份現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)合需要以本領(lǐng)域技術(shù)人員面對(duì)特定問(wèn)題有動(dòng)機(jī)去改進(jìn)最接近的現(xiàn)有技術(shù)為基礎(chǔ)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，經(jīng)常會(huì)遇到要求保護(hù)的發(fā)明中利用“簡(jiǎn)單”的技術(shù)手段去接近“困難”的技術(shù)問(wèn)題的案例，而這種“簡(jiǎn)單”的技術(shù)手段往往是本領(lǐng)域常規(guī)的技術(shù)手段，這些技術(shù)手段是否容易與最接近的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)合得到要求保護(hù)的發(fā)明的技術(shù)方案，是值得考究的。
筆者認(rèn)為，在確定半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題時(shí)，應(yīng)該從本領(lǐng)域技術(shù)人員的解決問(wèn)題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上能夠得到的技術(shù)問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于技術(shù)場(chǎng)景實(shí)際會(huì)面臨的技術(shù)問(wèn)題，而不是利用本發(fā)明的區(qū)別特征所推導(dǎo)出的技術(shù)問(wèn)題。
下面結(jié)合具體案例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
?案例：
要求保護(hù)的發(fā)明的技術(shù)方案是：在溝道孔的側(cè)壁形成第一多晶硅層，之后將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮?dú)猸h(huán)境中，在溝道孔中形成第二多晶硅層。其中，惰性氣體或氮?dú)猸h(huán)境由晶圓盒提供。
對(duì)比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術(shù)，公開(kāi)的是：在溝道孔中形成材料為多晶硅的第一半導(dǎo)體溝道層，以及材料為多晶硅的第二半導(dǎo)體溝道層。即，公開(kāi)了在溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層。
要求保護(hù)的發(fā)明相比于對(duì)比文件1的區(qū)別特征為：形成第一多晶硅層后，形成第二多晶硅層前，將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮?dú)猸h(huán)境中，惰性氣體或氮?dú)猸h(huán)境由晶圓盒提供。審查員認(rèn)為，要求保護(hù)的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題為：如何有效抑制在進(jìn)行第二多晶硅層生長(zhǎng)前的等待過(guò)程中第一多晶硅層的自然氧化，減少溝道層中氧化硅的占比，降低溝道電阻，提高器件性能。
對(duì)比文件2公開(kāi)了一種新型硅片盒氮?dú)馓畛涔瘢芊獾墓杵袃?nèi)外均以氮?dú)夥仗畛洌詫⒐杵袃?nèi)部的濕度及氧含量降低到極低的水平，消除因水汽和氧氣對(duì)硅片表面造成的影響。
這樣，對(duì)比文件1公開(kāi)了形成溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層，對(duì)比文件2公開(kāi)了硅片盒可以填充氮?dú)猓越档蜐穸群脱鹾浚瑥募夹g(shù)特征表面上來(lái)看，對(duì)比文件1和對(duì)比文件2似乎公開(kāi)了“形成第一多晶硅層”、“形成第二多晶硅層”、“提供氮?dú)猸h(huán)境”這些特征，幾乎涵蓋了要求保護(hù)的發(fā)明的各個(gè)技術(shù)特征，這種結(jié)合“看上去”沒(méi)有問(wèn)題，結(jié)合之后似乎也能得到要求保護(hù)的發(fā)明的技術(shù)方案。
然而，仔細(xì)研究后就會(huì)發(fā)現(xiàn)，前述的技術(shù)問(wèn)題實(shí)際上是在要求保護(hù)的發(fā)明技術(shù)特征的基礎(chǔ)上反推出來(lái)的，而不是本領(lǐng)域技術(shù)人員在已知對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上實(shí)際面臨的，而這兩個(gè)問(wèn)題之間的差異被審查員忽視了，從而使對(duì)比文件1和對(duì)比文件2之間的結(jié)合變成技術(shù)特征的堆砌，而不是真正的“提供技術(shù)啟示”。
在要求保護(hù)的發(fā)明中，在形成第一多晶硅層之后，形成第二多晶硅層之前，可以將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮?dú)猸h(huán)境中，本領(lǐng)域技術(shù)人員確實(shí)能夠得到這樣可以使第一多晶硅層置于低水低氧的環(huán)境中，防止氧化成為氧化硅的技術(shù)效果。這是能夠從技術(shù)手段推導(dǎo)技術(shù)效果的過(guò)程，也很輕易得到要求保護(hù)的發(fā)明實(shí)際要解決的技術(shù)問(wèn)題就是防止溝道層氧化成為氧化硅，但是這個(gè)技術(shù)問(wèn)題是否就是本領(lǐng)域技術(shù)人員面臨的技術(shù)問(wèn)題呢，其實(shí)是不一定的。
事實(shí)上，本案的發(fā)明人在器件的制造過(guò)程中所遇到的問(wèn)題是：器件性能差，之后，發(fā)現(xiàn)了器件性能差的原因在于溝道電阻大，然后發(fā)現(xiàn)了溝道電阻較大的原因?yàn)闇系缹又械难趸璧恼急容^高，氧化硅是絕緣材料，會(huì)導(dǎo)致溝道電阻較大，而溝道層中的氧化硅的占比較高的原因在于第一多晶硅在形成之后被氧化，而第一多晶硅被氧化的原因在于在形成第一多晶硅層之后存在等待的過(guò)程，等待的過(guò)程中第一多晶硅層置于高氧高水分的環(huán)境下會(huì)導(dǎo)致多晶硅被氧化，這才是溝道層電阻變大的根本原因。
很明顯，在對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的條件下，可能會(huì)發(fā)現(xiàn)器件性能差的問(wèn)題，但是不會(huì)發(fā)現(xiàn)更深層次的原因，即器件性能差時(shí)因?yàn)闇系缹拥碾娮栎^大，電阻較大的原因是溝道層中有較高的氧化硅的占比，較高的氧化硅的占比是因?yàn)榈谝话雽?dǎo)體溝道層在放置的時(shí)間段內(nèi)被氧化。事實(shí)上，對(duì)比文件1也沒(méi)有提及在第一半導(dǎo)體溝道層形成后需要等待，在不需要等待的情況下自然不會(huì)產(chǎn)生對(duì)第一半導(dǎo)體溝道層的氧化。
因此，器件性能差才是本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)面臨的技術(shù)問(wèn)題，換句話說(shuō)，從器件的性能較差，到發(fā)現(xiàn)溝道電阻較大，再到發(fā)現(xiàn)溝道層中的氧化硅的占比較高，再到第一多晶硅層被氧化的根本原因，是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)問(wèn)題以及尋求問(wèn)題存在的根源的過(guò)程，而本領(lǐng)域技術(shù)人員在付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的基礎(chǔ)上，在面臨器件性能差的問(wèn)題時(shí)是否會(huì)去尋求防止溝道層氧化的方式，答案自然是否定的。
綜上所述，審查員認(rèn)為的技術(shù)問(wèn)題是在看到要求保護(hù)的發(fā)明的技術(shù)方案之后，是利用要求保護(hù)的發(fā)明的區(qū)別技術(shù)特征反推出來(lái)的，而不是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上客觀會(huì)面臨的技術(shù)問(wèn)題。實(shí)際上，在將要求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)際要解決的技術(shù)問(wèn)題定義為“如何提高器件的性能”之后，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，對(duì)比文件1和對(duì)比文件2的結(jié)合存在邏輯斷層，即對(duì)比文件1中實(shí)際存在的技術(shù)問(wèn)題和對(duì)比文件2實(shí)際能夠解決的問(wèn)題不匹配。
因此，審查員指出的這種結(jié)合僅僅實(shí)現(xiàn)了技術(shù)特征的堆砌，本領(lǐng)域技術(shù)人員甚至并不知曉為什么要將二者結(jié)合，這并不符合本領(lǐng)域技術(shù)人員在研究過(guò)程中的解決問(wèn)題的思路，這種結(jié)合也不應(yīng)該是創(chuàng)造性評(píng)價(jià)中的“有動(dòng)機(jī)”的“結(jié)合”，而真正從對(duì)比文件1實(shí)際存在的技術(shù)問(wèn)題出發(fā)時(shí)，對(duì)比文件1和對(duì)比文件2是沒(méi)有結(jié)合動(dòng)機(jī)的。因此，從最接近的現(xiàn)有技術(shù)出發(fā)，確定準(zhǔn)確的技術(shù)問(wèn)題，是審查員和代理人在實(shí)審階段需要特別注意的。
以上是筆者在進(jìn)行審?fù)ù饛?fù)的過(guò)程中的總結(jié)思考，其中若有不妥之處，還請(qǐng)讀者批評(píng)指教。